Electron microscopy shows ‘mouse bite’ defects in semiconductors
Des chercheurs de Cornell ont utilisé une imagerie 3D haute résolution pour détecter, pour la première fois, des défauts à l’échelle atomique dans les puces susceptibles de nuire à leurs performances, dans le cadre d’une collaboration avec TSMC et Advanced Semiconductor Materials. La méthode d’imagerie repose sur l’électron ptychographie et sur un détecteur EMPAD, et elle offre des images atomiques d’une clarté sans précédent. Les chercheurs ont révélé des rugosités d’interface dans les canaux des transistors, appelées « mouse bites », liées à des défauts de croissance. Cette capacité de caractérisation peut devenir un outil clé pour le débogage et la détection de fautes au stade de développement, touchant des domaines allant des smartphones aux data centers et à l’informatique quantique. L’étude, publiée le 23 février dans Nature Communications et dirigée par Shake Karapetyan, illustre l’évolution des puces vers des architectures 3D et l’adoption généralisée de l’oxyde hafnium comme matériau de grille.